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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ
漏源电压：30V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
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连续漏极电流：800mA
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
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连续漏极电流：800mA
类型：2个N沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
输入电容：50pF@15V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
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阈值电压：1.6V@250μA
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3401LDW-13
漏源电压：30V
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250μA
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栅极电荷：1.2nC@10V
连续漏极电流：800mA
导通电阻：400mΩ
输入电容：50pF@15V
类型：2个N沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
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栅极电荷：1.2nC@10V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
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栅极电荷：1.2nC@10V
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
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