采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW€5W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA430NZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
