品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: