采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：4.5V@590μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.94nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：4.5V@590μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.94nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
功率：980mW
连续漏极电流：19.8A€50A
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：46nC@10V
类型：1个P沟道
输入电容：2.38nF@15V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB125N65S3
漏源电压：650V
功率：181W
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4.5V@590μA
类型：1个N沟道
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：24A
导通电阻：125mΩ@12A，10V
输入电容：1.94nF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
功率：980mW
连续漏极电流：19.8A€50A
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：46nC@10V
类型：1个P沟道
输入电容：2.38nF@15V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G400P06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.506nF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G400P06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.506nF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G400P06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.506nF@30V
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
