品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7μA
栅极电荷:600pC@5V
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@3.7μA
栅极电荷:600pC@5V
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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功率:500mW
阈值电压:2V@3.7μA
栅极电荷:600pC@5V
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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阈值电压:2V@3.7μA
栅极电荷:600pC@5V
输入电容:94pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
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栅极电荷:600pC@5V
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
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栅极电荷:600pC@5V
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连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
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输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
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连续漏极电流:1.4A€1.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
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导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
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类型:1个N沟道
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输入电容:94pF@15V
导通电阻:160mΩ@1.4A,10V
阈值电压:2V@3.7μA
连续漏极电流:1.4A
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