采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：1.5V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：215W
阈值电压：1.6V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：5.064nF@30V
连续漏极电流：170A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10M
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：2V
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.65nF@50V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF@50V
导通电阻：6mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
连续漏极电流：20A
功率：69W
栅极电荷：70nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
阈值电压：3V@250μA
输入电容：3.354nF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
栅极电荷：70nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@10V，50A
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.2V@250μA
功率：100W
输入电容：3.65nF@50V
反向传输电容：22pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT080N10D5
栅极电荷：70nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@10V，50A
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.2V@250μA
功率：100W
输入电容：3.65nF@50V
反向传输电容：22pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.83nF@15V
连续漏极电流：16A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF16N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：37.9W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.25nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：260mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.37nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，4.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20P10KE
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：3.354nF@50V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：94mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.37nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：750mΩ@10V，4.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：19mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：9.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5.9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，12A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
