采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDY100PZ
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功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
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连续漏极电流：350mA
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功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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连续漏极电流：350mA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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连续漏极电流：350mA
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功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDY100PZ
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
输入电容：100pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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功率：625mW
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：350mA
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
输入电容：100pF@10V
栅极电荷：1.4nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：122pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
连续漏极电流：1A
功率：350mW€6.25W
类型：1个P沟道
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY100PZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：1.2Ω@500mA，4.5V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：500mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
类型：1个P沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：1.2Ω@500mA，4.5V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：500mA
阈值电压：1V@250μA
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类型：1个P沟道
栅极电荷：1.4nC@4.5V
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