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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€5.68W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：116pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：447mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€5.68W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：116pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：447mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：25V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6321C
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：25V
功率：300mW
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：500mA€410mA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
