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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
输入电容：501pF@15V
连续漏极电流：6.5A€4.2A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
输入电容：501pF@15V
连续漏极电流：6.5A€4.2A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
输入电容：501pF@15V
连续漏极电流：6.5A€4.2A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3409_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
