采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：9.6W
阈值电压：800mV@10μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：877pF@10V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：182pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，8.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：900mΩ@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
