采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ025P03HZGTR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：200mΩ@10V，1.3A
栅极电荷：4.4nC@5V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
