品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:2Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:2Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:2Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.3V@1mA
输入电容:15pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:5.7nC@10V
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2pF@25V
导通电阻:4Ω@10V,1A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
类型:1个N沟道
功率:34W
输入电容:300pF@25V
栅极电荷:5.7nC@10V
反向传输电容:2pF@25V
连续漏极电流:2A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
导通电阻:4Ω@10V,1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT2N60
类型:1个N沟道
功率:34W
输入电容:300pF@25V
栅极电荷:5.7nC@10V
反向传输电容:2pF@25V
连续漏极电流:2A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
导通电阻:4Ω@10V,1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:2.3V@1mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7Ω@10V,250mA
连续漏极电流:250mA
反向传输电容:2pF@25V
漏源电压:60V
输入电容:15pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: