包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：55mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：55mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：55mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMCB60XNEZ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：55mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MMBT7002KDW

工作温度：-55℃~+150℃

功率：350mW

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：440pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSZ150N10LS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：26nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：40A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：48W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：100nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：131A

类型：MOSFET

导通电阻：1.63mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD17507Q5AT

工作温度：-55℃~+150℃

功率：39W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：2.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：65A

类型：MOSFET

导通电阻：10.8mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1