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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：19A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.83mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
