采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：155W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：142A
类型：MOSFET
导通电阻：3.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R310PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：310mΩ
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：155W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：142A
类型：MOSFET
导通电阻：3.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R310PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：310mΩ
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.5A
类型：MOSFET
导通电阻：540mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R310PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：310mΩ
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB95R310PFD7ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17.5A
类型：MOSFET
导通电阻：310mΩ
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V
栅极电荷：37.5nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：12A
类型：MOSFET
导通电阻：6.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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