品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.228nF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.228nF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.228nF@100V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1866}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJU04N80A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:88W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:396pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:130mΩ@3A,10V
功率:2.5W
栅极电荷:43nC@10V
阈值电压:4.5V@250μA
输入电容:1.228nF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2670
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:130mΩ@3A,10V
功率:2.5W
栅极电荷:43nC@10V
阈值电压:4.5V@250μA
输入电容:1.228nF@100V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
输入电容:7.56nF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
类型:1个N沟道
功率:104W€2.5W
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:22.1A€100A
阈值电压:4.5V@250μA
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS030N06B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:104W€2.5W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.56nF@30V
连续漏极电流:22.1A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: