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    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 6.8nC@10V
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    当前匹配商品:30+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

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    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":759}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    栅极电荷:6.8nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

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    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    栅极电荷:6.8nC@10V

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    输入电容:315pF@50V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    输入电容:315pF@50V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    栅极电荷:6.8nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    栅极电荷:6.8nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

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    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":759}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订20000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订20000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":759}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

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    包装清单:商品主体 * 1

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