品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:600mA
类型:1个P沟道
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:340mW
连续漏极电流:530mA
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
输入电容:17pF@16V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D6UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
功率:510mW
连续漏极电流:580mA
栅极电荷:800pC@8V
导通电阻:1Ω@100mA,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2055U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
连续漏极电流:4.8A
栅极电荷:4.3nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:400pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
输入电容:634pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.86nF@10V
栅极电荷:116nC@4.5V
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:41W€2.3W
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
连续漏极电流:12A€18A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2101A-TP
输入电容:290pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
导通电阻:130mΩ@1.5A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
栅极电荷:3.9nC@4.5V
类型:1个P沟道
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJE8403_R1_00001
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:2.2nC@4.5V
输入电容:151pF@10V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:340mΩ@600mA,4.5V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
连续漏极电流:600mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
输入电容:486pF@10V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301-TP
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:120mΩ@4.5V,2.8A
输入电容:880pF@6V
连续漏极电流:2.8A
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:14.5nC@4.5V
漏源电压:20V
类型:1个P沟道
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: