采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：2个P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC138K-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：360mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
