品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:105mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT110N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:1.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:54pF@25V
导通电阻:9.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ042N06NSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.8V@36μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@30V
连续漏极电流:40A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD20N06TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:16.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,8.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€166W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.66nF@25V
连续漏极电流:36A€235A
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD15P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:15A€4A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002IXTSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26μA
栅极电荷:900pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ042N06NSATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.8V@36μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2nF@30V
连续漏极电流:40A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5612
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:14A€3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€22.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.235nF@30V
连续漏极电流:15.8A€39.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.77nF@30V
连续漏极电流:40.4A€165A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.75mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):03N06
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:14.6nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS0605
工作温度:-55℃~+150℃
功率:360mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:2.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:79pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: