首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    工作温度
    包装方式
    漏源电压
    60V
    行业应用
    反向传输电容
    工作温度: -55℃~+150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT55N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.988nF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT110N06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT110N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:69W

    阈值电压:1.7V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:54pF@25V

    导通电阻:9.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ042N06NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ042N06NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ042N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.8V@36μA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@30V

    连续漏极电流:40A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD20N06TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD20N06TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:16.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,8.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFSC1D6N06CL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€166W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.66nF@25V

    连续漏极电流:36A€235A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT55N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.988nF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD15P06A-AU_L2_000A1 起订15个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD15P06A-AU_L2_000A1 起订15个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD15P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:15A€4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:68mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002IXTSA1 起订18个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002IXTSA1 起订18个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002IXTSA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.8V@26μA

    栅极电荷:900pC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ042N06NSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ042N06NSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ042N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.8V@36μA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@30V

    连续漏极电流:40A€17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06L 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:72mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LT-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:400pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ462ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ462ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€22.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.235nF@30V

    连续漏极电流:15.8A€39.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626ADP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.77nF@30V

    连续漏极电流:40.4A€165A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.75mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 03N06 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):03N06

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:14.6nC@30V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订12000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002 起订12000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订44个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订44个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧