品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3404B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:526pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:69pF@15V
导通电阻:18mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0901NSIATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@15V
连续漏极电流:25A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN018-30QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:10.9W€1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:7.5A€19.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:18mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G50N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:1.45V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6380
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
反向传输电容:40pF@15V
导通电阻:5.6mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.95nF@15V
连续漏极电流:47.1A€162A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA14BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W€3.8W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:917pF@15V
连续漏极电流:72A€21A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.38mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.8W€17W
阈值电压:2.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.83mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3406_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:48mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV55UNR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:352pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:66mΩ@1.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.17nF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA430NZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3028LQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: