采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
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连续漏极电流：8A
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导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
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导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
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功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
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栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDME905PT
包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
包装方式：卷带（TR）
功率：2.1W
栅极电荷：20nC@4.5V
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
阈值电压：1V@250μA
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类型：1个P沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.1pF@100V
导通电阻：420mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.1pF@100V
导通电阻：420mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.1pF@100V
导通电阻：420mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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