采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRL640A
功率：110W
导通电阻：180mΩ@5V，9A
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
输入电容：1.705nF@25V
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@10V
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
连续漏极电流：9.5A
输入电容：510pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL640A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：110W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1.705nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@5V，9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR220PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@2.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9640GPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH50N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300W
阈值电压：4V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.4nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@25A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：38W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@4.75A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
