包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：7nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2.9A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTP360N80S3Z

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：9999，"19+"：12000，"21+"：1500，"9999"：1497，"MI+"：1500}

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPU80R750P7AKMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：51W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7A

类型：MOSFET

导通电阻：640mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TK5A80E，S4X

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：20nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：2.4Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP24N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：60nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP24N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：60nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：8881，"19+"：500，"9999"：20，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTP360N80S3Z

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTP360N80S3Z

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：25.3nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

类型：MOSFET

导通电阻：360mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：9999，"19+"：12000，"21+"：1500，"9999"：1497，"MI+"：1500}

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPU80R750P7AKMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：51W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：7A

类型：MOSFET

导通电阻：640mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPAN80R280P7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：30W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：36nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：240mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：NTP360N80S3Z

阈值电压：3.8V

包装方式：Tube

连续漏极电流：13A

导通电阻：360mΩ

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

漏源电压：800V

栅极电荷：25.3nC

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

导通电阻：1.35Ω

功率：62.5W

阈值电压：4V

包装方式：Tube

栅极电荷：11nC

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：4.4A

漏源电压：800V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

导通电阻：1.35Ω

功率：62.5W

阈值电压：4V

包装方式：Tube

栅极电荷：11nC

工作温度：-55℃~+150℃

连续漏极电流：4.4A

漏源电压：800V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：TK5A80E，S4X

栅极电荷：20nC

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：5A

功率：40W

包装方式：Tube

导通电阻：2.4Ω

工作温度：-55℃~+150℃

漏源电压：800V

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP11N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：78W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8A

类型：MOSFET

导通电阻：391mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1