包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD2N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：7nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：2.9A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF9620PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：3.5A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5Ω

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG17N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

栅极电荷：42nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：15A

类型：MOSFET

导通电阻：305mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60AE-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：156mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP24N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：60nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60AE-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：156mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP24N80AEF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：60nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：193mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

栅极电荷：11nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.4A

类型：MOSFET

导通电阻：1.35Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHU4N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：2V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.3A

类型：MOSFET

导通电阻：1.27Ω

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1