销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：806mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：900mA

功率：625mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：140MHz

工作温度：-55℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极电流(Ic)：900mA

特征频率：140MHz

功率：625mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：960mV@1A，5mA

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：100V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@5V，100mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

工作温度：-55℃~+150℃

包装清单：商品主体 * 1