采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.2W€36W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2nF@20V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，16A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
包装方式：Reel
漏源电压：40V
阈值电压：1.1V
功率：48W
栅极电荷：100nC
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：1.63mΩ
连续漏极电流：131A
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
类型：1个P沟道
栅极电荷：55nC@5V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：40nC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
连续漏极电流：35A
导通电阻：7.6mΩ
阈值电压：1.2V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH434DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：7.6mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA52ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：131A
类型：MOSFET
导通电阻：1.63mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：140nC@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.2mΩ@10V，18.6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：2.39nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
