品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
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