品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8393,"22+":22849,"23+":104089,"MI+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA€600mA
类型:N和P沟道
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:450mV@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:450mV@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:450mV@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:350mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
输入电容:109pF@10V
连续漏极电流:900mA
类型:1个N沟道
导通电阻:220mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
连续漏极电流:140mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
阈值电压:450mV@250μA
类型:1个P沟道
连续漏极电流:350mA
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
阈值电压:450mV@250μA
类型:1个P沟道
连续漏极电流:350mA
导通电阻:1.2Ω@4.5V,350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6332C
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道+1个P沟道
输入电容:113pF@10V
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:700mA€600mA
栅极电荷:1.5nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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