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    漏源电压: 20V
    包装方式: Reel
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSO203SP H 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO203SP H 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO203SP H

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:900mV

    栅极电荷:26nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:8.9A

    类型:MOSFET

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235N H6327 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD235N H6327 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):9000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD235N H6327

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:700mV

    栅极电荷:320pC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:950mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:266mΩ€415mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4263DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4263DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4263DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.29W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:19.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":8000,"21+":7794,"22+":21881,"24+":16000}

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4263DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4263DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4263DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.29W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:19.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIAA02DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIAA02DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIAA02DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:19W

    阈值电压:1.6V

    栅极电荷:22nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:52A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.7mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DTM3A25P20NFDB-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DTM3A25P20NFDB-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DTM3A25P20NFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.47W

    阈值电压:500mV

    栅极电荷:736.6pC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:630mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:300mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2312A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2312A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312A-TP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:500mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:25mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4265EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:32mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPEX 起订3268个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30XPEX 起订3268个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":23995}

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30XPEX

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:750mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7A

    类型:MOSFET

    导通电阻:34mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4265EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:13.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:32mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4265EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:13.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:32mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4265EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:13.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:32mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS2K1P021ZTCG 起订1921个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS2K1P021ZTCG 起订1921个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS2K1P021ZTCG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:127mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UFD-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UFD-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UFD-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:450mV

    栅极电荷:700pC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:1.9A

    类型:MOSFET

    导通电阻:200mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DTM3A25P20NFDB-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DTM3A25P20NFDB-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DTM3A25P20NFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.47W

    阈值电压:500mV

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:736.6pC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:630mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:300mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UFD-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2310UFD-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2310UFD-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:450mV

    栅极电荷:700pC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:1.9A

    类型:MOSFET

    导通电阻:200mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DTM3A25P20NFDB-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DTM3A25P20NFDB-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DTM3A25P20NFDB-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.47W

    阈值电压:500mV

    栅极电荷:736.6pC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:630mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:300mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIAA02DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIAA02DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIAA02DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:19W

    阈值电压:1.6V

    栅极电荷:22nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:52A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.7mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4265EDJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4265EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.8A

    类型:MOSFET

    导通电阻:32mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-BE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443DDV-T1-BE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443DDV-T1-BE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:90mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIAA02DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIAA02DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIAA02DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:19W

    阈值电压:1.6V

    栅极电荷:22nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:52A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.7mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS2K1P021ZTCG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS2K1P021ZTCG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS2K1P021ZTCG

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:127mA

    类型:MOSFET

    导通电阻:

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4263DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA4263DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA4263DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.29W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:19.8nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:7.5A

    类型:MOSFET

    导通电阻:19.9mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订4167个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3166NZT5G 起订4167个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":8000,"21+":7794,"22+":21881,"24+":16000}

    包装规格(MPQ):8000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3166NZT5G

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V

    ECCN:EAR99

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:361mA

    类型:MOSFET

    漏源电压:20V

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