采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS9926SC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
反向传输电容：85pF@10V
导通电阻：23mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2053U-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：414pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
