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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订53个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订34个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订50个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订50个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订600个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订600个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-13 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UWQ-13 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订21000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3411-AU_R1_000A1 起订21000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055UW-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055UW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订43个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJ2301_R1_00001 起订43个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJ2301_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@4.5V,3.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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