采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
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功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
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功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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品牌：VISHAY
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：46pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：2个N沟道
导通电阻：375mΩ@4.5V，630mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
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栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
类型：2个N沟道
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：1.2nC@4.5V
连续漏极电流：660mA
功率：270mW
阈值电压：1.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
导通电阻：385mΩ@660mA，4.5V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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