采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP1488WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：30pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP1488WT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：30pF@10V
导通电阻：90mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LP1488WT1G
栅极电荷：4nC@4.5V
反向传输电容：30pF@10V
连续漏极电流：1.5A
功率：290mW
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
功率：290mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：38pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：1.2A
漏源电压：20V
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
栅极电荷：700pC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：740pC@4.5V
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UT-13
功率：290mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：38pF@10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：1.2A
漏源电压：20V
导通电阻：240mΩ@300mA，4.5V
栅极电荷：700pC@4.5V
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
