采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV
栅极电荷：700pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.9A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV
栅极电荷：700pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.9A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTL3415KL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9nC@4.5V
输入电容：289pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
反向传输电容：22pF@10V
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B03E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV
栅极电荷：700pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.9A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
输入电容：1.16nF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：5.8nC@4.5V
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV
栅极电荷：700pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.9A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2310UFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV
栅极电荷：700pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.9A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
