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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2162-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：18.9nC@4.5V
输入电容：1.371nF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个N沟道
反向传输电容：172pF@10V
导通电阻：14mΩ@4.5V，4.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2046C-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270mW
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：1.07nC@4.5V
输入电容：30pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@10V
导通电阻：420mΩ@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
阈值电压：1.5V@250μA
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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