采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2830}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.7V€3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC€47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2830}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.7V€3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC€47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：30nC@5V
输入电容：2.22nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2830}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.7V€3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC€47nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：2500psc
规格型号(MPN)：RSS130N03HZGTB
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V
包装方式：Reel
栅极电荷：25nC
导通电阻：8.3mΩ
连续漏极电流：13A
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
功率：2W
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：60.4nC@10V
输入电容：2.748nF@20V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4406A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：60.4nC@10V
输入电容：2.748nF@20V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：3.845nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：9.3mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：60.4nC@10V
输入电容：2.748nF@20V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT35M4LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14.9nC@10V
输入电容：1.009nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
