品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G8N03
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:13nC@5V
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@15V
导通电阻:9mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC653N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: