品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
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连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
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输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2710
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
连续漏极电流:50A
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:7.28nF@25V
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}
规格型号(MPN):FDD6N25TM
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:50W
漏源电压:250V
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
连续漏极电流:4.4A
输入电容:250pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2710
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
连续漏极电流:50A
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:7.28nF@25V
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB2710
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
连续漏极电流:50A
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:7.28nF@25V
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6N25TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: