采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06P01E
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.087nF@6V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
输入电容：1.357nF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：31mΩ@4.5V，4A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1401EDH-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1V
栅极电荷：36nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
