包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R125CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB20N60FTM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.37nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

反向传输电容：95pF@25V

导通电阻：150mΩ@10V，10A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPB20N60C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：87nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20.7A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB20N60TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：98nC@10V

输入电容：3.08nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

导通电阻：190mΩ@10V，10A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB20N60FTM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.37nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

反向传输电容：95pF@25V

导通电阻：150mΩ@10V，10A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB20N60FTM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.37nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

反向传输电容：95pF@25V

导通电阻：150mΩ@10V，10A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB20N60FTM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：75nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.37nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

反向传输电容：95pF@25V

导通电阻：150mΩ@10V，10A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：500psc

规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3

连续漏极电流：29A

包装方式：Reel

导通电阻：102mΩ

功率：208W

栅极电荷：35nC

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：5V

漏源电压：600V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

连续漏极电流：29A

包装方式：Reel

导通电阻：102mΩ

功率：208W

栅极电荷：35nC

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：5V

漏源电压：600V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCP20N60

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：98nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.08nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

导通电阻：190mΩ@10A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCP20N60

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：98nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.08nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

导通电阻：190mΩ@10A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB20N60TM

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V@250μA

栅极电荷：98nC@10V

输入电容：3.08nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：1个N沟道

导通电阻：190mΩ@10V，10A

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW20N60S5

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5.5V

栅极电荷：79nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：190mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1