采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：1.173nF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：1.173nF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：1.173nF@4V
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@4.5V，3.5A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：30nC@8V
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：30nC@8V
输入电容：960pF@4V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：85nC@4.5V
连续漏极电流：13.7A€20A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@4.5V，14A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：85nC@4.5V
连续漏极电流：13.7A€20A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@4.5V，14A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：85nC@4.5V
连续漏极电流：13.7A€20A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@4.5V，14A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：85nC@4.5V
连续漏极电流：13.7A€20A
类型：1个P沟道
导通电阻：9mΩ@4.5V，14A
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1050X-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：236mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：11.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@4V
连续漏极电流：1.34A
类型：1个N沟道
导通电阻：86mΩ@1.34A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：5.8A
栅极电荷：30nC@8V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
功率：960mW€1.7W
导通电阻：35mΩ@4.5V，4.4A
漏源电压：8V
类型：1个P沟道
输入电容：960pF@4V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
