品牌：Microchip
分类：IGBT
销售单位：个
栅极阈值电压(Vge(th))：3.2V@15V，25A
关断延迟时间：122ns
关断损耗：0.427mJ
开启延迟时间：16ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：203nC
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.742mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
企业价
