采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：9.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.8A
类型：MOSFET
导通电阻：172mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR9310-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
连续漏极电流：1.8A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP372N H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.4V
栅极电荷：9.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.8A
类型：MOSFET
导通电阻：172mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：165pF@50V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4Ω@10V，600mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：165pF@50V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4Ω@10V，600mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：93pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@1.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5Ω@10V，1.1A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：165pF@50V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4Ω@10V，600mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：4.5V@50μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：165pF@50V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4Ω@10V，600mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFR9310-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
连续漏极电流：1.8A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP373NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@218μA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：265pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：240mΩ@1.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
