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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250μA
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功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
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阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
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导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.5Ω@10V，1.1A
漏源电压：800V
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导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
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类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
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功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
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连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
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阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
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栅极电荷：12nC@10V
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