采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3485C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：550mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：33mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.15W€490mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：22.1nC@4.5V
输入电容：1.82nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3485C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：550mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：33mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW€4.15W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：22.1nC@4.5V
输入电容：1.82nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3485C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：550mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：33mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30UNH
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3485C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：550mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF@10V
导通电阻：33mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.03nF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC640P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJU04N80A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：88W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3692
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：746pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：4.15W€490mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：22.1nC@4.5V
输入电容：1.82nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：32mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
