包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：18N10

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：28nC@10V

输入电容：1.318nF@50V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：37mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP60R125CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：70nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：127W

阈值电压：4.5V@630μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.513nF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：90mΩ@12.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：25P06

工作温度：-55℃~+150℃

功率：100W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：37nC@10V

输入电容：3.384nF@30V

连续漏极电流：25A

类型：1个P沟道

导通电阻：31mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：18N10

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：28nC@10V

输入电容：1.318nF@50V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：37mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：4.8V@700μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：9.3nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：600pF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：85mΩ@16A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：4.8V@700μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：9.3nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：600pF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：85mΩ@16A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：11000，"23+"：683}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：127W

阈值电压：4.5V@630μA

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.513nF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：90mΩ@12.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TP65H070LDG-TR

工作温度：-55℃~+150℃

功率：96W

阈值电压：4.8V@700μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：9.3nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：600pF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：85mΩ@16A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP65R090CFD7XKSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：127W

阈值电压：4.5V@630μA

栅极电荷：53nC@10V

输入电容：2.513nF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：90mΩ@12.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT700P08T

工作温度：-55℃~+150℃

功率：125W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：75nC@10V

输入电容：1.639nF@40V

连续漏极电流：25A

类型：1个P沟道

导通电阻：58mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：28W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：4.3mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G160N04K

工作温度：-55℃~+150℃

功率：43W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：20nC@10V

输入电容：1.01nF@20V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

反向传输电容：76pF@20V

导通电阻：12mΩ@10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LN8320DT1AG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.5W

阈值电压：2.1V@250μA

栅极电荷：10nC@4.5V

输入电容：1nF@15V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

反向传输电容：110pF@15V

导通电阻：9.5mΩ@10V，12.8A

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMS86500L

工作温度：-55℃~+150℃

功率：104W

阈值电压：1V

栅极电荷：165nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSC600N25NS3 G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：125W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：50mΩ

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB65R090CFD7ATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：127W

阈值电压：4.5V@630μA

栅极电荷：53nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2.513nF@400V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：90mΩ@12.5A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1