采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：7Ω
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3
阈值电压：4V
包装方式：Reel
栅极电荷：14nC
功率：36W
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
导通电阻：7Ω
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS816NW H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：550mV
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：107mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：12000psc
规格型号(MPN)：BSS816NW H6327
包装方式：Reel
栅极电荷：600pC
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：550mV
漏源电压：20V
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：107mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3437DV-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@50V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：750mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@3.7μA
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：105pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，910mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，910mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：12000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS316NH6327XT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V
栅极电荷：600pC
包装方式：Reel
连续漏极电流：1.4A
类型：MOSFET
导通电阻：119mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
阈值电压：3V@250μA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：600pC@5V
输入电容：94pF@15V
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
阈值电压：2V@3.7μA
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
