采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP6N60C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：810pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.75A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98150-55A/CUF
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98150-55A/CUF
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK98150-55A/CUF
工作温度：-55℃~150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：5.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：137mΩ@5A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK78150-55A/CUX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，5A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HL2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：418pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：70pF@10V
导通电阻：25mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@3.3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.9nC@4.5V
输入电容：792pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LFDBWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK78150-55A/CUX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：8W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，5A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：3.8nC@5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：412pF@15V
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
功率：900mW
连续漏极电流：5.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK78150-55A/CUX
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：150mΩ@10V，5A
漏源电压：55V
类型：1个N沟道
功率：8W
输入电容：230pF@25V
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
