品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
漏源电压:30V
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
连续漏极电流:800mA
导通电阻:400mΩ
输入电容:50pF@15V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
漏源电压:30V
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
连续漏极电流:800mA
导通电阻:400mΩ
输入电容:50pF@15V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:680pC@4.5V
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:1.2nC@10V
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250μA
栅极电荷:3.6nC@10V
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:680pC@4.5V
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210GTA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-13
漏源电压:30V
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:1.2nC@10V
连续漏极电流:800mA
导通电阻:400mΩ
输入电容:50pF@15V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: